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富士IGBT模塊
日期：2024-11-26 01:44
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摘要：在富士IGBT模塊的使用過程中，有時(shí)候需要將兩塊IGBT模塊進(jìn)行并聯(lián)操作，那么這樣做有什么好處呢，接下來小編簡(jiǎn)單為大家介紹一下。
1、降成本的需求。以兩點(diǎn)平為例，直接購(gòu)買成品模塊固然可提高產(chǎn)品穩(wěn)定性，但是相應(yīng)的成本增加不是一般公司能承受的，使用多模塊并聯(lián)可明顯降低成本。一般電流越大的igbt價(jià)格越高，且可供選擇的供應(yīng)商越少，從而使得價(jià)格居高不下。相反，低電流的igbt廠商較多，量產(chǎn)時(shí)間久，價(jià)格較低。
2、與富士IGBT模塊配套的驅(qū)動(dòng)可能還不支持大功率穩(wěn)定運(yùn)行，或者說開發(fā)人員習(xí)慣使用成熟的產(chǎn)品。成熟的驅(qū)動(dòng)及igbt...
在富士IGBT模塊的使用過程中，有時(shí)候需要將兩塊IGBT模塊進(jìn)行并聯(lián)操作，那么這樣做有什么好處呢，接下來小編簡(jiǎn)單為大家介紹一下。
1、降成本的需求。以兩點(diǎn)平為例，直接購(gòu)買成品模塊固然可提高產(chǎn)品穩(wěn)定性，但是相應(yīng)的成本增加不是一般公司能承受的，使用多模塊并聯(lián)可明顯降低成本。一般電流越大的igbt價(jià)格越高，且可供選擇的供應(yīng)商越少，從而使得價(jià)格居高不下。相反，低電流的igbt廠商較多，量產(chǎn)時(shí)間久，價(jià)格較低。
2、與富士IGBT模塊配套的驅(qū)動(dòng)可能還不支持大功率穩(wěn)定運(yùn)行，或者說開發(fā)人員習(xí)慣使用成熟的產(chǎn)品。成熟的驅(qū)動(dòng)及igbt廠商將會(huì)提供更多的技術(shù)支持。
3、并聯(lián)技術(shù)已成為一個(gè)發(fā)展趨勢(shì)，使用并聯(lián)技術(shù)（不僅僅是igbt）可以使得產(chǎn)品做的更小，功率密度更高。
4、避免**供應(yīng)商或增加購(gòu)買渠道。
隨著科技的不斷進(jìn)步，富士IGBT模塊在設(shè)計(jì)上更為先進(jìn)，對(duì)于其自身的保護(hù)措施也不斷完善，其中*為常見就是過電流保護(hù)，而過電流保護(hù)又可以分為過載保護(hù)與短路保護(hù)：
1、短路保護(hù)：富士IGBT模塊承受的短路電路時(shí)間很短。IGBT短路會(huì)引起IGBT損耗增大，結(jié)溫升高，如果結(jié)溫突破其*大結(jié)溫，則IGBT會(huì)損壞。
2、過載保護(hù)：過載保護(hù)主要是IGBT的負(fù)載電流增大引起的IGBT損耗增大，如果損耗增大，突破IGBT的一些極限數(shù)值，則IGBT會(huì)損壞。一般選擇、應(yīng)用IGBT時(shí)均需要一定的余量。因此，IGBT過載時(shí)可以保護(hù)。過載保護(hù)可以通過檢測(cè)直流環(huán)路總電流，達(dá)到對(duì)IGBT驅(qū)動(dòng)電路的控制，進(jìn)而可以實(shí)現(xiàn)在過載時(shí)，關(guān)斷IGBT。
由于IGBT模塊在IGBT變流器工作過程要產(chǎn)生功率損耗即內(nèi)損耗，內(nèi)損耗引起發(fā)熱，溫度上升，IGBT溫度高低與器件內(nèi)損耗大小、芯片到環(huán)境的傳熱結(jié)構(gòu)、材料和器件冷卻方式以及環(huán)境溫度等有關(guān)。當(dāng)發(fā)熱和散熱相等時(shí)，器件達(dá)到穩(wěn)定溫升，處于均衡狀態(tài)，即穩(wěn)態(tài)。器件的芯片溫度不論在穩(wěn)態(tài)，還是在瞬態(tài)，都不允許超過器件的*高允許工作溫度，即IGBT結(jié)溫，否則，將引起器件電或熱的不穩(wěn)定而導(dǎo)致器件失效。
如果遇到了富士IGBT模塊使用中溫升快，效率低的情況，使用者可以參考以下解決方法：
1、減小柵極電阻，可加快開關(guān)器件通斷，減小開關(guān)損耗從而降低溫度，但不要太小 具體需要調(diào)試
2、加適當(dāng)阻容吸收電路
3、檢查硅膠涂抹、即散熱片、風(fēng)扇等問題。