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歐(優(yōu))派克**IGBT模塊ff300r17ke3

日期:2024-11-26 13:15
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摘要: 歐派克**IGBT模塊ff300r17ke3價(jià)格優(yōu)惠! 型號(hào):FF300R17KE3 廠家:歐派克/優(yōu)派克 快速驅(qū)動(dòng)IGBT FF300R17KE3 應(yīng)用于電機(jī)調(diào)速,變頻器,大功逆變電源。 兩單元的IGBT屬于1700V系列 相關(guān)FF300R17KE3模塊1700V知識(shí): IGBT驅(qū)動(dòng)膜IC產(chǎn)品系列中新推出一款超大驅(qū)動(dòng)能力的IGBT驅(qū)動(dòng)器KA102。該驅(qū)動(dòng)器專門針對超大功率IGBT模塊設(shè)計(jì),輸出驅(qū)動(dòng)電流可達(dá)20A,可驅(qū)動(dòng)像FF300R17KE3這樣的1700V/2000A的IGBT模塊。 在過電流保護(hù)方面,該KA102具有三段式完善的過電流保護(hù)功能,先降柵壓,再延遲判斷,確實(shí)短路時(shí)實(shí)行...

歐派克**IGBT模塊ff300r17ke3價(jià)格優(yōu)惠!
型號(hào):FF300R17KE3 
廠家:歐派克/優(yōu)派克

快速驅(qū)動(dòng)IGBT FF300R17KE3
應(yīng)用于電機(jī)調(diào)速,變頻器,大功逆變電源。
兩單元的IGBT屬于1700V系列

相關(guān)FF300R17KE3模塊1700V知識(shí):
    IGBT驅(qū)動(dòng)膜IC產(chǎn)品系列中新推出一款超大驅(qū)動(dòng)能力的IGBT驅(qū)動(dòng)器KA102。該驅(qū)動(dòng)器專門針對超大功率IGBT模塊設(shè)計(jì),輸出驅(qū)動(dòng)電流可達(dá)20A,可驅(qū)動(dòng)像FF300R17KE3這樣的1700V/2000A的IGBT模塊。 
    在過電流保護(hù)方面,該KA102具有三段式完善的過電流保護(hù)功能,先降柵壓,再延遲判斷,確實(shí)短路時(shí)實(shí)行軟關(guān)斷,并封鎖短路信號(hào)以執(zhí)行一個(gè)完整的保護(hù)過程,其中盲區(qū)時(shí)間、延遲判斷時(shí)間、軟關(guān)斷的速度、故障后再次啟動(dòng)的時(shí)間都分別可調(diào),可滿足各類用戶的不同需求。 
在使用上,該KA102可外接電阻對IGBT柵極充電和放電速度分別調(diào)節(jié),驅(qū)動(dòng)器本身只需要一個(gè)24V電源供電。
    隨著軟穿通 IGBT 技術(shù)的引入,產(chǎn)生了IGBT 設(shè)計(jì)上和特性上的新標(biāo)準(zhǔn),特別適用于中等功率的市場。將傳統(tǒng)的 NPT(非穿通型)IGBT 的高強(qiáng)度和低損耗兩個(gè)特點(diǎn)相結(jié)合,已經(jīng)使 SPT-IGBT 成為 1200V-1700V 電壓范圍的標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品。為了充分利用SPT-IGBT 這一技術(shù)特性,1200V-1700V LoPak 模塊的范圍擴(kuò)展至額定電流75A-300A。
    FF300R17KE3運(yùn)用1700V SPT-IGBT技術(shù)新的 E2工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝現(xiàn)在,因?yàn)轭~定電流為 2400A 的新一代大功率工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)模塊的封裝尺寸增加了140×130(E1)140×190(E2)1700V-SPT IGBT的封裝類型得到了擴(kuò)展,新型號(hào)1700V-SPT IGBT 的 E2 標(biāo)準(zhǔn)封裝。
    基于高可靠性應(yīng)用的經(jīng)驗(yàn),設(shè)計(jì)出了適用于工業(yè)牽引應(yīng)用的新的封裝類型。
與已經(jīng)應(yīng)用的 1700V 標(biāo)準(zhǔn)模塊相比,主要損耗減少了大約 20%。除了極低的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)損耗外,1700V-SPT IGBT 表現(xiàn)為明顯的正溫度系數(shù)。這一特點(diǎn)適用于并聯(lián)工作狀態(tài),尤其適合如 E1/E2 類型這樣的大電流模塊。盡管 SPT IGBT 的損耗較低,但它的短路電流和開關(guān)強(qiáng)度均較大,而且,獨(dú)特的軟穿通結(jié)構(gòu)的電磁干擾很小。SPT 技術(shù)發(fā)展的同時(shí),新的軟快速恢復(fù)二極管也被開發(fā)用于輔助 SPT 的特性。新的二極管在任意條件工作時(shí),表現(xiàn)出軟恢復(fù)和極耐用的的特性。因?yàn)椴⒙?lián)使用,二極管也要求正的溫度系數(shù)。2 1700V 的芯片組技術(shù)如圖 2 所示,文獻(xiàn)[1,2]中證明,標(biāo)準(zhǔn)的平面工藝與軟穿通概念的結(jié)合可得到性能更好的 IGBT,它比 NPT 結(jié)構(gòu)的損耗更低,約小 20%。SPT 技術(shù)的通態(tài)損耗與使用溝道工藝的相同額定電流元件的通態(tài)損耗相似。因?yàn)楣に嚰夹g(shù)很成熟,為使單位面積上的成本更低,選用了平面設(shè)計(jì)。


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