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IGBT驅(qū)動，為什么一定要驅(qū)動電流
日期：2024-11-26 13:16
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摘要：
IGBT驅(qū)動，為什么一定要驅(qū)動電流
MOS場效應(yīng)管(以及IGBT絕緣柵雙極性大功率管等器件)的源極和柵極之間是絕緣的二氧化硅結(jié)構(gòu)，直流電不能通過,因而低頻的靜態(tài)驅(qū)動功率
MOS場效應(yīng)管(以及IGBT絕緣柵雙極性大功率管等器件)的源極和柵極之間是絕緣的二氧化硅結(jié)構(gòu)，直流電不能通過,因而低頻的靜態(tài)驅(qū)動功率接近于零。但是柵極和源極之間構(gòu)成了一個(gè)柵極電容Cgs，因而在高頻率的交替開通和關(guān)斷時(shí)需要一定的動態(tài)驅(qū)動功率。小功率VMOS管的Cgs一般在10-100pF之內(nèi),對于大功率的絕緣柵功率器件,由于柵極電容Cgs較大，在1-100nF,甚至更大,因而需要較大的動態(tài)驅(qū)動功率。更由于漏極到柵極的密勒電容Cdg,柵極驅(qū)動功率是不可忽視的。