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**IGBT技術,優(yōu)化變頻器設計

日期:2024-11-26 13:16
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摘要:

全球對于節(jié)能和綠色能源的需求使得馬達變頻驅動在工業(yè)應用領域不斷增長,甚至還擴展到民用產(chǎn)品和汽車領域。因此在過去幾年,市場對變頻器的需求量和相應的產(chǎn)量一直在持續(xù)增長。隨著產(chǎn)量的不斷擴大和技術趨向成熟,變頻器市場競爭也日益激烈,對產(chǎn)品性價比的要求不斷提高。

  標準的三相交流驅動變頻器使用絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 來實現(xiàn)主電路中的6個開關,現(xiàn)在除少量小功率、低成本變頻器采用分立IGBT器件外,一般工業(yè)變頻器均采用模塊化IGBT(包括IPM)。模塊化概念為用戶提供了一個采用絕緣封裝且經(jīng)過檢驗的功率開關組件,從而減輕了設計工作量,改進系統(tǒng)性能,并提高了變頻器的功率等級。

  但即便使用IGBT模塊,設計上的挑戰(zhàn)依然存在。由于IGBT模塊的惡劣工作條件(在高壓和高溫下對大電流進行開關控制)和半導體器件固有弱點,設計工程師必須在確保IGBT模塊能夠**工作的同時,發(fā)揮其*大性能以實現(xiàn)低成本設計。

  本文將首先陳述變頻器設計工程師所面臨的主要挑戰(zhàn),然后介紹來自英飛凌科技的**IGBT芯片和封裝技術及支持工具,并簡要陳述這些解決方案的優(yōu)點。

變頻器設計面臨的挑戰(zhàn)

  IGBT能夠**運行是應用的首要要求。**運行有兩個基本的條件,超越這兩個條件運行可引起器件的長久性損壞,這兩個條件分別是:

  1) Vce ≤ Vces,其中Vce是集電極-發(fā)射極瞬態(tài)電壓,Vces是IGBT芯片的阻斷電壓(數(shù)據(jù)表上規(guī)定為600V/1200V/1700V/3.3kV/6.5kV)

  2) Tj ≤ Tvj,op,max,其中Tj是IGBT芯片的瞬時結溫,Tvj,op,max(數(shù)據(jù)表上規(guī)定為125℃或150℃)是進行開關工作時所允許的*大結溫

  要在應用中遵循這兩個條件,必須先理解Vce和Tj是如何建立的。

  首先,在變頻器電路結構中,IGBT半橋由直流側供電,直流側電壓Vdc幾乎恒定。受電路的電磁場和材料的影響,系統(tǒng)中存在分布電感,當IGBT以di/dt的速率將電流關斷時,Vce等于Vdc和一個感應電壓di/dt
 

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